반도체 기반 편집하기 (부분)

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== 개발 현황 ==

[[File:기술백서 전체수정_96edit.jpg|none|thumb|300px|큐비트의 읽기/쓰기 나노 구조<ref name=Jarryd J. Pla>Jarryd J. Pla et al.,High-fidelity readout and control of a nuclear spin qubit in silicon 496, 334 (2013).https://doi.org/10.1038/nature12011.</ref> 참고문헌[15]의 그림을 재구성함.]]
[[반도체 기반#양자점 (Quantum Dot; 퀀텀닷)|양자점]] [[큐비트]]는 반도체 내부에 게이트 전압을 이용하거나 도핑을 통해 가상의 원자를 만드는 큐비트이다. 대표적으로는 2018년 보고된 GaAs/AlGaAs 이종 접합에 게이트 전압을 통해 전자의 이동을 제한하는 방식으로 만들어진 단일 전자 큐비트가 있다.<ref name=Camenzind>L. C. Camenzind et al., Hyperfine-phonon spin relaxation in a single-electron GaAs quantum dot, Nature communications 9, 1 (2018).https://doi.org/10.1038/s41467-018-05879-x.</ref> 이 큐비트는 [[반도체 기반#양자점 (Quantum Dot; 퀀텀닷)|양자점]] 내부 전자의 스핀을 이용하였으며 약 57초의 [[결맞음]] 시간을 보였다. 또한 도핑을 이용한 큐비트로는 실리콘 내에 인(P)원자를 도핑해 인의 핵 스핀을 이용하는 큐비트가 있다. 핵 스핀을 이용하는 경우 저온에서 2시간 이상 붕괴(decay)가 거의 보이지 않았으며 상온에서도 [[결맞음]] 시간이 2시간이 넘어갔다고 보고되었다. <ref name=Saeedi>K. Saeedi et al., Room-temperature quantum bit storage exceeding 39 minutes using ionized donors in silicon-28. Science 342, 830 (2013). doi:10.1126/science.1239584 </ref>

[[분류:양자점 | 양자점]]

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