이온 트랩 (Ion Trap)
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== 트랩 장치의 구조== [[File:양자 기술백서_image65.png|none|thumb|400px|(a), (b) Paul 트랩의 예시. (c), (d) Paul 트랩을 반도체 공정으로 구현한 예시.<ref name = "NASEM2019"/> ]] 시간에 따라 변하는 동적인 전자기장을 이용하면 전하를 띈 입자(이온)를 3차원 공간상에 포획할 수 있다. 이는 전기장과 자기장을 동시에 이용하는 Penning 트랩과 전기장만을 이용한 Paul 트랩의 두 가지 종류가 있다. 대부분의 이온 트랩 컴퓨팅 시스템은 개개의 이온들에 광학적 주사가 용이한 Paul 트랩을 사용한다. Paul 트랩에서는 두 개의 전극에 RF 전압이, 또 다른 두 개의 전극에 접지(ground) 전압이 걸린다. 여기에서, 시간에 따라 변화하는 RF 전기장은 평균값인 유사 퍼텐셜(pseudo potential)을 형성하게 되며, 이 RF 전기장이 최소가 되는 공간상의 지점에서 이온이 포획된다. 이 RF전압은 실린더 형태의 포텐셜을 구성하며, 추가적으로 DC 전압을 인가함으로써 3차원 공간의 한 지점에 이온들을 포획하게 된다. 전통적으로 이러한 트랩 구조물은 (a), (b)에서처럼 트랩에 사용되는 금속 및 구성요소들을 가공한 뒤, 손으로 조립하는 과정을 거쳤지만, 요즘에는 기존 컴퓨터 하드웨어처럼 반도체 공정을 이용해 만드는 경우가 많다. 공정 기술의 도입은 많은 수의 DC 전압을 인가할 수 있도록 하는 복잡한 트랩 구조를 만들 수 있고, 트랩된 이온들을 움직이는 이온 셔틀링 및 시스템에서 사용하는 [[큐비트]]의 수를 늘릴 수 있는 가능성을 만들었다. (c), (d)는 반도체 공정을 통해 만든 Paul 트랩의 예시이다.<ref name = "NASEM2019"/>
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